SCT3120ALGC11 価格設定（USD） [12256個在庫]
- 1 pcs$2.59572
- 品番:
- SCT3120ALGC11
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET NCH 650V 21A TO247N.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor SCT3120ALGC11 electronic components. SCT3120ALGC11 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SCT3120ALGC11, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SCT3120ALGC11 製品の属性
品番 :
SCT3120ALGC11
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET NCH 650V 21A TO247N
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
21A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
18V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
156 mOhm @ 6.7A, 18V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.6V @ 3.33mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
38nC @ 18V
Vgs（最大） :
+22V, -4V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
460pF @ 500V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
103W (Tc)
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247N
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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