Vishay Siliconix - SI2314EDS-T1-E3

KEY Part #: K6416232

SI2314EDS-T1-E3 価格設定(USD) [306526個在庫]

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品番:
SI2314EDS-T1-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2314EDS-T1-E3 製品の属性

品番 : SI2314EDS-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.77A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 33 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 950mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 14nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力(最大) : 750mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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