SSM6N16FUTE85LF 価格設定（USD） [1230545個在庫]
- 1 pcs$0.03006
- 品番:
- SSM6N16FUTE85LF
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
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SSM6N16FUTE85LF 製品の属性
品番 :
SSM6N16FUTE85LF
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.1V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
9.3pF @ 3V
パワー-最大 :
200mW
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ :
US6
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