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- 品番:
- SSM3K318T,LF
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K318T,LF electronic components. SSM3K318T,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3K318T,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM3K318T,LF 製品の属性
品番 :
SSM3K318T,LF
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
シリーズ :
U-MOSIV
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
107 mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
7nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
235pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
700mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TSM
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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