[2216個在庫]
- 品番:
- SSM3J14TTE85LF
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-シングル and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J14TTE85LF electronic components. SSM3J14TTE85LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3J14TTE85LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM3J14TTE85LF 製品の属性
品番 :
SSM3J14TTE85LF
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
シリーズ :
U-MOSII
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.7A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
85 mOhm @ 1.35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
413pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
700mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TSM
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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