TSM60NB900CH C5G 価格設定（USD） [85799個在庫]
- 1 pcs$0.45573
- 品番:
- TSM60NB900CH C5G
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB900CH C5G electronic components. TSM60NB900CH C5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM60NB900CH C5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSM60NB900CH C5G 製品の属性
品番 :
TSM60NB900CH C5G
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
900 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9.6nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
315pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
36.8W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-251 (IPAK)
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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