[2720個在庫]
- 品番:
- RQK0607AQDQS#H1
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America RQK0607AQDQS#H1 electronic components. RQK0607AQDQS#H1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQK0607AQDQS#H1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RQK0607AQDQS#H1 製品の属性
品番 :
RQK0607AQDQS#H1
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET N-CH
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.4A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
270 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
2nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
170pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.5W (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
UPAK
パッケージ/ケース :
TO-243AA
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