[2720個在庫]
- 品番:
- RQK0607AQDQS#H1
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America RQK0607AQDQS#H1 electronic components. RQK0607AQDQS#H1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQK0607AQDQS#H1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RQK0607AQDQS#H1 製品の属性
品番 :
RQK0607AQDQS#H1
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET N-CH
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.4A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
270 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
2nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
170pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.5W (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
UPAK
パッケージ/ケース :
TO-243AA
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