説明 :
MOSFET P-CH 8V 8SOIC
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
9 mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
85nC @ 4.5V
消費電力(最大) :
3W (Ta), 6.5W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)