Nexperia USA Inc. - PSMN8R5-100ESQ

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品番:
PSMN8R5-100ESQ
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN8R5-100ESQ 製品の属性

品番 : PSMN8R5-100ESQ
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 100A (Tj)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 111nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5512pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 263W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : I2PAK
パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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