DMN1150UFL3-7 価格設定（USD） [952744個在庫]
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- 品番:
- DMN1150UFL3-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN1150UFL3-7 electronic components. DMN1150UFL3-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN1150UFL3-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN1150UFL3-7 製品の属性
品番 :
DMN1150UFL3-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
150 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
1.4nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
115pF @ 6V
パワー-最大 :
390mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-XFDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
X2-DFN1310-6 (Type B)
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