RTQ020N03TR 価格設定（USD） [635119個在庫]
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- 品番:
- RTQ020N03TR
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RTQ020N03TR electronic components. RTQ020N03TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RTQ020N03TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RTQ020N03TR 製品の属性
品番 :
RTQ020N03TR
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
125 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3.3nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
135pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.25W (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TSMT6 (SC-95)
パッケージ/ケース :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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