SI2374DS-T1-GE3 価格設定（USD） [792956個在庫]
- 1 pcs$0.04665
- 3,000 pcs$0.04440
- 品番:
- SI2374DS-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHAN 20V SOT23.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI2374DS-T1-GE3 electronic components. SI2374DS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2374DS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI2374DS-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI2374DS-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CHAN 20V SOT23
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
30 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
735pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- BUK7Y25-80E/CX
- JANSF2N7383
- IPS50R520CPAKMA1
- STL160NS3LLH7
- 5LP01M-TL-E
- UPA2739T1A-E2-AY
- PMT200EN,135
- ZXM62P03E6TC
- SUD45P03-10-E3
- TK4A55DA(STA4,Q,M)
- BSS315PL6327HTSA1
- NTMFS4941NT3G
- SPP15N60CFDHKSA1
- IPP80N04S204AKSA1
- NTLJD3182FZTBG
- SI1046X-T1-GE3
- FQA10N80_F109
- IRFU3709Z-701P
- NTB75N03L09G
- FDP16N50
- IXFC16N50P
- HUFA75343G3
- FQD3N60TF
- VN2410LG
- IPD110N12N3GBUMA1
- FDZ209N
- IRF7604TR
- IRF9530S
- IRFD9120
- BUK652R0-30C,127
- STP5NK60ZFP
- IPI110N20N3GAKSA1
- IXTY2N100P
- IXTP3N50P
- SUD23N06-31-T4-GE3
- SQJA06EP-T1_GE3
- BUK9Y72-80E,115
- R6002ENDTL
- IPU50R1K4CEAKMA1
- BSD314SPEH6327XTSA1