技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
50A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
13.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
37nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
2320pF @ 20V
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-DFN (5.1x6.3)