Infineon Technologies - IRFR220NPBF

KEY Part #: K6396978

IRFR220NPBF 価格設定(USD) [84252個在庫]

  • 1 pcs$0.41392
  • 10 pcs$0.34132
  • 100 pcs$0.26336
  • 500 pcs$0.19508
  • 1,000 pcs$0.15606

品番:
IRFR220NPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRFR220NPBF electronic components. IRFR220NPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR220NPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR220NPBF 製品の属性

品番 : IRFR220NPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 600 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 300pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 43W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません
  • IRFR220NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 200V 5A DPAK.

  • IRLR3410PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.

  • FDD390N15ALZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3.

  • STT6N3LLH6

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6.

  • STT4P3LLH6

    STMicroelectronics

    MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6.

  • STI300N4F6

    STMicroelectronics

    MOSFET N CH 40V 160A I2PAK.