Central Semiconductor Corp - CXDM3069N TR

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CXDM3069N TR 価格設定(USD) [243544個在庫]

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品番:
CXDM3069N TR
メーカー:
Central Semiconductor Corp
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CXDM3069N TR 製品の属性

品番 : CXDM3069N TR
メーカー : Central Semiconductor Corp
説明 : MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6.9A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 30 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs(最大) : 12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 580pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.2W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-89
パッケージ/ケース : TO-243AA
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