IPB60R125C6ATMA1 価格設定（USD） [33041個在庫]
- 1 pcs$1.24734
- 品番:
- IPB60R125C6ATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 30A TO263.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPB60R125C6ATMA1 electronic components. IPB60R125C6ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB60R125C6ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPB60R125C6ATMA1 製品の属性
品番 :
IPB60R125C6ATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 600V 30A TO263
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
30A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
125 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 960µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
96nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2127pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
219W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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