RD3P175SNFRATL 価格設定（USD） [147789個在庫]
- 1 pcs$0.25027
- 品番:
- RD3P175SNFRATL
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- RD3P175SNFRA IS A POWER MOSFET W.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RD3P175SNFRATL electronic components. RD3P175SNFRATL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RD3P175SNFRATL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RD3P175SNFRATL 製品の属性
品番 :
RD3P175SNFRATL
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
RD3P175SNFRA IS A POWER MOSFET W
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
17.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
105 mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
950pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
20W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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