FQD4N20TM 価格設定（USD） [320410個在庫]
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- 品番:
- FQD4N20TM
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 3A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQD4N20TM electronic components. FQD4N20TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD4N20TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQD4N20TM 製品の属性
品番 :
FQD4N20TM
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
シリーズ :
QFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.4 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
220pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta), 30W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-Pak
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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