IXYS - IXTH60N20L2

KEY Part #: K6395943

IXTH60N20L2 価格設定(USD) [6911個在庫]

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品番:
IXTH60N20L2
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 200V 60A TO-247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH60N20L2 製品の属性

品番 : IXTH60N20L2
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
シリーズ : Linear L2™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 60A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 45 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 255nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 10500pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 540W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247 (IXTH)
パッケージ/ケース : TO-247-3

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