FDM3622 価格設定（USD） [145281個在庫]
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- 品番:
- FDM3622
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDM3622 electronic components. FDM3622 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDM3622, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDM3622 製品の属性
品番 :
FDM3622
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.4A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
60 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1090pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.1W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-MLP (3.3x3.3)
パッケージ/ケース :
8-PowerWDFN
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