AONR21357 価格設定（USD） [371706個在庫]
- 1 pcs$0.09951
- 品番:
- AONR21357
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 30V 3X3 8DFN EP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR21357 electronic components. AONR21357 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AONR21357, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AONR21357 製品の属性
品番 :
AONR21357
メーカー :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
説明 :
MOSFET P-CH 30V 3X3 8DFN EP
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
21A (Ta), 34A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
70nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2830pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
5W (Ta), 30W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-DFN-EP (3x3)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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