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ON Semiconductor - NTD23N03RT4G

KEY Part #: K6406970

[1136個在庫]

    品番:
    NTD23N03RT4G
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
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    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor NTD23N03RT4G electronic components. NTD23N03RT4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTD23N03RT4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTD23N03RT4G 製品の属性

    品番 : NTD23N03RT4G
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 25V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 3.8A (Ta), 17.1A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4V, 5V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 45 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 2V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 3.76nC @ 4.5V
    Vgs（最大） : ±20V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 225pF @ 20V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 1.14W (Ta), 22.3W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : DPAK
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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