IPB80N06S2L07ATMA3 価格設定（USD） [95324個在庫]
- 1 pcs$0.41019
- 1,000 pcs$0.39058
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPB80N06S2L07ATMA3 electronic components. IPB80N06S2L07ATMA3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB80N06S2L07ATMA3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPB80N06S2L07ATMA3 製品の属性
品番 :
IPB80N06S2L07ATMA3
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
80A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6.7 mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 150µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
130nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3160pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
210W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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