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- 品番:
- NTMSD3P102R2
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NTMSD3P102R2 electronic components. NTMSD3P102R2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMSD3P102R2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTMSD3P102R2 製品の属性
品番 :
NTMSD3P102R2
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
シリーズ :
FETKY™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.34A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
85 mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
750pF @ 16V
FET機能 :
Schottky Diode (Isolated)
消費電力（最大） :
730mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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