[119個在庫]
- 品番:
- BUZ31L
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BUZ31L electronic components. BUZ31L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUZ31L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BUZ31L 製品の属性
品番 :
BUZ31L
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB
シリーズ :
SIPMOS®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
13.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
200 mOhm @ 7A, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1600pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
95W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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