IRF6775MTRPBF 価格設定（USD） [99089個在庫]
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- 品番:
- IRF6775MTRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF6775MTRPBF electronic components. IRF6775MTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6775MTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF6775MTRPBF 製品の属性
品番 :
IRF6775MTRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
150V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.9A (Ta), 28A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
56 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1411pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DIRECTFET™ MZ
パッケージ/ケース :
DirectFET™ Isometric MZ
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