Infineon Technologies - IRF3315STRLPBF

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IRF3315STRLPBF 価格設定(USD) [117979個在庫]

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品番:
IRF3315STRLPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF3315STRLPBF 製品の属性

品番 : IRF3315STRLPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 150V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 21A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 82 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 95nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1300pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.8W (Ta), 94W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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