ON Semiconductor - FDMC5614P

KEY Part #: K6417809

FDMC5614P 価格設定(USD) [158145個在庫]

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品番:
FDMC5614P
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMC5614P 製品の属性

品番 : FDMC5614P
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 100 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1055pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.1W (Ta), 42W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-MLP (3.3x3.3)
パッケージ/ケース : 8-PowerWDFN

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