Texas Instruments - CSD19505KTTT

KEY Part #: K6395871

CSD19505KTTT 価格設定(USD) [36005個在庫]

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  • 200 pcs$1.28795

品番:
CSD19505KTTT
メーカー:
Texas Instruments
詳細な説明:
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD19505KTTT 製品の属性

品番 : CSD19505KTTT
メーカー : Texas Instruments
説明 : MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
シリーズ : NexFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 80V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 200A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 76nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 7920pF @ 40V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 300W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DDPAK/TO-263-3
パッケージ/ケース : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

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