メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
2A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.8V, 8V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
185 mOhm @ 1A, 8V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1.2V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
2.2nC @ 4.2V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
130pF @ 10V
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-UDFN (2x2)
パッケージ/ケース :
6-UDFN Exposed Pad