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ON Semiconductor - 3LP01C-TB-H

KEY Part #: K6405772

[1550個在庫]

    品番:
    3LP01C-TB-H
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 30V 100MA CP.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor 3LP01C-TB-H electronic components. 3LP01C-TB-H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 3LP01C-TB-H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    3LP01C-TB-H 製品の属性

    品番 : 3LP01C-TB-H
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET P-CH 30V 100MA CP
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 100mA (Ta)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 1.5V, 4V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 10.4 Ohm @ 50mA, 4V
    Vgs（th）（最大）@ Id : -
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 1.43nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±10V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 7.5pF @ 10V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 250mW (Ta)
    動作温度 : 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : 3-CP
    パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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