[4193個在庫]
- 品番:
- SIA922EDJ-T4-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V SMD.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIA922EDJ-T4-GE3 electronic components. SIA922EDJ-T4-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA922EDJ-T4-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIA922EDJ-T4-GE3 製品の属性
品番 :
SIA922EDJ-T4-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 30V SMD
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.4A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
64 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
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