Infineon Technologies - IPD60N10S412ATMA1

KEY Part #: K6420310

IPD60N10S412ATMA1 価格設定(USD) [180846個在庫]

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品番:
IPD60N10S412ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH TO252-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD60N10S412ATMA1 製品の属性

品番 : IPD60N10S412ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH TO252-3
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 60A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 12.2 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 46µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2470pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 94W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO252-3-313
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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