FCD4N60TM 価格設定（USD） [150413個在庫]
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- 品番:
- FCD4N60TM
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FCD4N60TM electronic components. FCD4N60TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCD4N60TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCD4N60TM 製品の属性
品番 :
FCD4N60TM
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
シリーズ :
SuperFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
16.6nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
540pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
50W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-Pak
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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