Vishay Siliconix - IRF510SPBF

KEY Part #: K6399934

IRF510SPBF 価格設定(USD) [63618個在庫]

  • 1 pcs$0.53935
  • 10 pcs$0.47747
  • 100 pcs$0.37746
  • 500 pcs$0.27691
  • 1,000 pcs$0.21861

品番:
IRF510SPBF
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix IRF510SPBF electronic components. IRF510SPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF510SPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF510SPBF 製品の属性

品番 : IRF510SPBF
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5.6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 540 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8.3nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 180pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.7W (Ta), 43W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

あなたも興味があるかもしれません
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • VN0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3.

  • DN2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.

  • VP2206N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

  • VN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • BTS282ZE3180AATMA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.