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ON Semiconductor - FCD600N60Z

KEY Part #: K6403528

FCD600N60Z 価格設定（USD） [127498個在庫]

  • 1 pcs$0.29010
  • 2,500 pcs$0.24223
品番:
FCD600N60Z
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FCD600N60Z electronic components. FCD600N60Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCD600N60Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCD600N60Z 製品の属性

品番 : FCD600N60Z
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK
シリーズ : SuperFET® II
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 7.4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 600 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 26nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1120pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 89W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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