Nexperia USA Inc. - PMPB10XNEZ

KEY Part #: K6416171

PMPB10XNEZ 価格設定(USD) [440888個在庫]

  • 1 pcs$0.08389
  • 3,000 pcs$0.07721

品番:
PMPB10XNEZ
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V SOT1220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. PMPB10XNEZ electronic components. PMPB10XNEZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMPB10XNEZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMPB10XNEZ 製品の属性

品番 : PMPB10XNEZ
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET N-CH 20V SOT1220
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 9A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 14 mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 900mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 34nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2175pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DFN2020MD-6
パッケージ/ケース : 6-UDFN Exposed Pad

あなたも興味があるかもしれません
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN4R5-40PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

  • FDG311N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.

  • FDG410NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6.