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- 品番:
- STB20NM60-1
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STB20NM60-1 electronic components. STB20NM60-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB20NM60-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STB20NM60-1 製品の属性
品番 :
STB20NM60-1
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
シリーズ :
MDmesh™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
290 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
54nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1500pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
192W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I2PAK
パッケージ/ケース :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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