FDD86113LZ 価格設定（USD） [159974個在庫]
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- 品番:
- FDD86113LZ
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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FDD86113LZ 製品の属性
品番 :
FDD86113LZ
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
104 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
285pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.1W (Ta), 29W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-PAK (TO-252)
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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