RDN050N20FU6 価格設定（USD） [119180個在庫]
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- 品番:
- RDN050N20FU6
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RDN050N20FU6 electronic components. RDN050N20FU6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RDN050N20FU6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RDN050N20FU6 製品の属性
品番 :
RDN050N20FU6
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Last Time Buy
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
720 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
18.6nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
292pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
30W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220FN
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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