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ON Semiconductor - NVMFD5C470NLWFT1G

KEY Part #: K6522717

NVMFD5C470NLWFT1G 価格設定（USD） [212524個在庫]

  • 1 pcs$0.17404
品番:
NVMFD5C470NLWFT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NVMFD5C470NLWFT1G electronic components. NVMFD5C470NLWFT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFD5C470NLWFT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFD5C470NLWFT1G 製品の属性

品番 : NVMFD5C470NLWFT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 11A (Ta), 36A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 11.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.2V @ 20µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 4nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 590pF @ 25V
パワー-最大 : 3W (Ta), 24W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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