Toshiba Semiconductor and Storage - TPCA8026(TE12L,Q,M

KEY Part #: K6416249

TPCA8026(TE12L,Q,M 価格設定(USD) [105031個在庫]

  • 1 pcs$0.39685
  • 3,000 pcs$0.39488

品番:
TPCA8026(TE12L,Q,M
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 45A 8-SOP ADV.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8026(TE12L,Q,M electronic components. TPCA8026(TE12L,Q,M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPCA8026(TE12L,Q,M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPCA8026(TE12L,Q,M 製品の属性

品番 : TPCA8026(TE12L,Q,M
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET N-CH 30V 45A 8-SOP ADV
シリーズ : U-MOSIV
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 45A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.2 mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 113nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4200pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.6W (Ta), 45W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOP Advance (5x5)
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN5R0-80PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB.

  • FDG311N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.