Infineon Technologies - BSB028N06NN3GXUMA1

KEY Part #: K6409709

BSB028N06NN3GXUMA1 価格設定(USD) [87199個在庫]

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品番:
BSB028N06NN3GXUMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSB028N06NN3GXUMA1 製品の属性

品番 : BSB028N06NN3GXUMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 22A (Ta), 90A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 102µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 143nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 12000pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.2W (Ta), 78W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : MG-WDSON-2, CanPAK M™
パッケージ/ケース : 3-WDSON

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