IXTN660N04T4 価格設定（USD） [4427個在庫]
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- 10 pcs$8.96949
- 100 pcs$7.25216
- 品番:
- IXTN660N04T4
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- 40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTN660N04T4 electronic components. IXTN660N04T4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTN660N04T4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTN660N04T4 製品の属性
品番 :
IXTN660N04T4
メーカー :
IXYS
説明 :
40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
シリーズ :
TrenchT4™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
660A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
0.85 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
860nC @ 10V
Vgs（最大） :
±15V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
44000pF @ 25V
FET機能 :
Current Sensing
消費電力（最大） :
1040W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-227B
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC
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