ON Semiconductor - BMS4007-1E

KEY Part #: K6398115

BMS4007-1E 価格設定(USD) [32584個在庫]

  • 1 pcs$1.26481
  • 400 pcs$0.71405

品番:
BMS4007-1E
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor BMS4007-1E electronic components. BMS4007-1E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BMS4007-1E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BMS4007-1E 製品の属性

品番 : BMS4007-1E
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML
シリーズ : -
部品ステータス : Last Time Buy
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 75V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 60A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 7.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : -
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 160nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9700pF @ 20V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2W (Ta), 30W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220ML
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

あなたも興味があるかもしれません
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.

  • RCX300N20

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 30A TO220.

  • TK11A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220.

  • TK12A50E,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 500V TO220SIS.