[96個在庫]
- 品番:
- BSP135L6327HTSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSP135L6327HTSA1 electronic components. BSP135L6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP135L6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSP135L6327HTSA1 製品の属性
品番 :
BSP135L6327HTSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
シリーズ :
SIPMOS®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
120mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
0V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
45 Ohm @ 120mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 94µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4.9nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
146pF @ 25V
FET機能 :
Depletion Mode
消費電力（最大） :
1.8W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-SOT223-4
パッケージ/ケース :
TO-261-4, TO-261AA
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- FDS5672_F095
- AON6428_103
- SCH1439-TL-W
- N0439N-S19-AY
- IXFR10N100Q
- DMP3025LK3-13-01
- UPA2821T1L-E1-AT
- RJK4002DPP-M0#T2
- BMS4003
- TK16A55D(STA4,Q,M)
- 2SK3704
- IPB096N03LGATMA1
- SIA419DJ-T1-GE3
- NTR4503NT1
- NTD24N06L-001
- IRF6629TRPBF
- IRF7453TRPBF
- IRFP064VPBF
- IRFZ46ZPBF
- SPP06N60C3XKSA1
- NTD4302T4
- 2SK221100L
- IRF6648TR1
- IRF7807ZPBF
- IRL530STRL
- IRFBF20STRR
- IRFR9120NTRR
- IRL520
- PMN23UN,165
- PSMN085-150K,518
- STD8NM60N-1
- STP10NK50Z
- IPP65R190CFDAAKSA1
- SQP120P06-6M7L_GE3
- IXTA1N80
- AUIRFR2905Z
- IPA65R310CFDXKSA2
- BSC159N10LSFGATMA1
- STD37P3H6AG
- IRFH8330TRPBF