Cree/Wolfspeed - C3M0065100J-TR

KEY Part #: K6410056

C3M0065100J-TR 価格設定(USD) [7324個在庫]

  • 1 pcs$5.62686

品番:
C3M0065100J-TR
メーカー:
Cree/Wolfspeed
詳細な説明:
1000V 65 MOHM G3 SIC MOSFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

C3M0065100J-TR 製品の属性

品番 : C3M0065100J-TR
メーカー : Cree/Wolfspeed
説明 : 1000V 65 MOHM G3 SIC MOSFET
シリーズ : C3M™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 35A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 15V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 35nC @ 15V
Vgs(最大) : +15V, -4V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 660pF @ 600V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 113.5W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263-7
パッケージ/ケース : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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