PSMN8R5-100ESFQ 価格設定（USD） [104703個在庫]
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- 品番:
- PSMN8R5-100ESFQ
- メーカー:
- Nexperia USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHANNEL 100V 97A I2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ブリッジ整流器, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN8R5-100ESFQ electronic components. PSMN8R5-100ESFQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN8R5-100ESFQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PSMN8R5-100ESFQ 製品の属性
品番 :
PSMN8R5-100ESFQ
メーカー :
Nexperia USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CHANNEL 100V 97A I2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
97A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
7V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
8.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
44.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3181pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
183W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I2PAK
パッケージ/ケース :
TO-220-3, Short Tab
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