IXYS - IXTY1R6N50P

KEY Part #: K6419230

IXTY1R6N50P 価格設定(USD) [98235個在庫]

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品番:
IXTY1R6N50P
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY1R6N50P 製品の属性

品番 : IXTY1R6N50P
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
シリーズ : PolarHV™
部品ステータス : Last Time Buy
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 6.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5.5V @ 25µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 3.9nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 140pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 43W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63