Toshiba Semiconductor and Storage - TJ80S04M3L(T6L1,NQ

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TJ80S04M3L(T6L1,NQ 価格設定(USD) [102769個在庫]

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品番:
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TJ80S04M3L(T6L1,NQ 製品の属性

品番 : TJ80S04M3L(T6L1,NQ
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3
シリーズ : U-MOSVI
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 80A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 5.2 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 158nC @ 10V
Vgs(最大) : +10V, -20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 7770pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 100W (Tc)
動作温度 : 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DPAK+
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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