TJ80S04M3L(T6L1,NQ 価格設定（USD） [102769個在庫]
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- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L(T6L1,NQ electronic components. TJ80S04M3L(T6L1,NQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TJ80S04M3L(T6L1,NQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TJ80S04M3L(T6L1,NQ 製品の属性
品番 :
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3
シリーズ :
U-MOSVI
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
80A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5.2 mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
158nC @ 10V
Vgs（最大） :
+10V, -20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
7770pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
100W (Tc)
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK+
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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